特許
J-GLOBAL ID：200903061060631780

pチャネル電界効果トランジスタ

発明者：
川原田 洋

川原田 洋 について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

科学技術振興事業団 について


代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-274343
公開番号（公開出願番号）：特開2004-109020
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】オゾン処理による高い閾値電圧を有する特性の良好なpチャネル電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】液体電解質をゲート8として使用し、オゾン処理2により水素終端表面を部分的に酸化し、水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるpチャネル電界効果トランジスタを得る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
液体電解質をゲートとして使用し、オゾン処理により水素終端表面を部分的に酸化し、水素終端と酸素終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるpチャネル電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
G01N27/414 ,  C12N15/09 ,  H01L29/78
FI (6件)：
G01N27/30 301V ,  H01L29/78 301U ,  H01L29/78 301B ,  C12N15/00 F ,  G01N27/30 301Z ,  G01N27/30 301Y
Fターム (11件)：
4B024AA11 ,  4B024CA01 ,  4B024HA13 ,  5F140AA37 ,  5F140AC01 ,  5F140AC37 ,  5F140BA01 ,  5F140BA04 ,  5F140BE05 ,  5F140BF01 ,  5F140BF03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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