特許
J-GLOBAL ID：200903061060862944

半導体発光素子の製造方法

発明者：
大塚 康二

大塚 康二 について

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杢 哲次

杢 哲次 について

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江川 孝志

江川 孝志 について

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石川 博康

石川 博康 について

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神保 孝志

神保 孝志 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について

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名古屋工業大学長

名古屋工業大学長 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-386428
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188414
出願日： 2001年12月19日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 消費電力及び動作電圧及びしきい値の低い半導体発光素子の低コスト化が困難であった。【解決手段】 低抵抗のシリコンから成り且つ一方の主面11aが(111)面から0.5〜5度の範囲で傾いている基板11を用意する。この基板11の上にAlNから成る第1の層12aとGaNから成る第2の層12bとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層12を設ける。バッファ層12の上に窒化ガリウムから成るn形半導体領域13、窒化ガリウムインジウムからなる活性層14、窒化ガリウムから成るp形半導体領域15を順次に形成する。基板11の多段ステップをバッファ層12、n形半導体領域13、活性層14、p形半導体領域15に引き継がせる。p形半導体領域15の上にアノード電極17を設け、基板11にカソード電極18を設ける。
請求項（抜粋）：
シリコン又はシリコン化合物から成り且つ一方の主面がミラ-指数で示す結晶面方位の(111)面から[11<SP>-</SP>0]方向又は[1<SP>-</SP>10]方向又は[1<SP>-</SP>1<SP>-</SP>2]方向又は[112<SP>-</SP>]方向のいずれかに0.5〜5度の角度で傾斜している基板を用意する工程と、前記基板の一方の主面に、化学式 Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>Nここでxは、0<x≦1を満足する数値、で示すことができる材料から成る第1の層とGaN又は化学式 Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>Nここで、yは、y<x0<y<1を満足する数値、で示すことができる材料から成る第2の層との複合層から成るバッファ層を多段ステップ面を有するように気相成長法によって形成する工程と、前記バッファ層の一方の主面に発光機能を得るための複数の窒化物系化合物半導体層を量子細線が生じるように気相成長法によって形成する工程とを有していることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610
Fターム (19件)：
5F041AA42 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA56 ,  5F073AA75 ,  5F073CA03 ,  5F073CB04 ,  5F073DA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (9件)
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