特許

J-GLOBAL ID：200903061067578940

アルミニウム配線の形成方法

発明者： 近藤 英一 ,  竹安 伸行 ,  河野 有美子 ,  太田 与洋
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163672
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022417
出願日： 1993年07月01日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 Alがヴィア孔内に良好に堆積するアルミニウム配線の形成方法を提供することにある。【構成】 下層Al配線4上の層間絶縁膜6に、ドライエッチングを用いてヴィア孔6aを形成する。次に、下層Al配線4の露出表面に形成されている自然酸化膜4a、層間絶縁膜6表面の変質層6b及び汚染物8を、Arによる逆スパッタによって除去する。これによって、清浄なAlが露出するが、極めて活性で酸化され易く、この直後に再び自然酸化膜4aが形成される。次に、水素ガス雰囲気下において、250°C程度に加熱すると、この自然酸化膜4aが還元されて除去される。この後、Al-CDVによってヴィア孔6a内にAlを堆積させる。

請求項（抜粋）：

アルミニウム配線上の層間絶縁膜にヴィア孔を形成し、このヴィア孔の底部に前記アルミニウム配線を露出させる第1工程と、前記ヴィア孔底部におけるアルミニウム配線の露出表面に形成された酸化アルミニウムを、エッチングし除去する第2工程と、前記ヴィア孔底部におけるの露出表面に形成された酸化アルミニウムに対して還元処理を施し、この酸化アルミニウムを除去する第3工程と、この第3工程を経た前記ヴィア孔内に、化学気相成長法によって、アルミニウムを含むプラグ材料を選択的に堆積させる第4工程と、を有することを特徴とするアルミニウム配線の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 A