特許

J-GLOBAL ID：200903061067793891

イオン注入装置

発明者： 青木 正彦
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-047944
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219173
出願日： 1996年02月09日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【目的】 大型の被処理物に対して温度上昇を抑え空間的均一性を監視しながら高電流イオン注入を行うことができるイオン注入装置を提供する事。【構成】 横長形状のイオン引き出し口を持つイオン源を使用し、ウィーンフィルタによって質量分離を行い、ビーム断面の短辺方向にウェファを走査して、必要なイオンのみを被処理物の全体にイオン注入する。ファラディカップによって不要イオンを検出し、横方向の電流のビーム均一性と全電流をチェックする。

請求項（抜粋）：

複数の帯状のイオン引き出し口から引き出されるイオンビ-ムに対してウィーンフィルタにより注入するべきイオンを直進させ他のイオンは質量分離し、分離したイオンを複数個等間隔で並んだファラディカップにより測定し、イオンビ-ムの均一性と照射量を監視し、エンドステーションによって試料を保持し、イオンビ-ム断面の短辺方向のみにビームに対して試料を走査し、イオン電流の値によって走査速度を制御するようにしたことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (4件)：

H01J 37/317 ,  H01J 37/05 ,  H01L 21/265 ,  H01J 49/28

FI (4件)：

H01J 37/317 C ,  H01J 37/05 ,  H01J 49/28 ,  H01L 21/265 D