特許
J-GLOBAL ID:200903061068898204
MgO単結晶基板の表面処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森 道雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-127282
公開番号(公開出願番号):特開平9-309799
出願日: 1996年05月22日
公開日(公表日): 1997年12月02日
要約:
【要約】【課題】高周波デバイス等の酸化物薄膜の作製に用いられる平坦性と清浄性の高い大面積のMgO単結晶基板の表面処理方法の提供。【解決手段】MgO単結晶基板の表面を、pH:4〜6の無機酸水溶液と接触させる処理を含む酸化物薄膜成膜用のMgO単結晶基板の表面処理方法。
請求項(抜粋):
MgO単結晶基板を、pH:4〜6の無機酸水溶液と接触させる処理を含むことを特徴とする酸化物薄膜成膜用のMgO単結晶基板の表面処理方法。
IPC (9件):
C30B 33/10
, C01G 1/00
, C01G 3/00 ZAA
, C04B 35/00 ZAA
, C04B 41/91
, C30B 29/16
, C30B 29/22 501
, H01L 39/02 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
FI (9件):
C30B 33/10
, C01G 1/00 S
, C01G 3/00 ZAA
, C04B 41/91 B
, C30B 29/16
, C30B 29/22 501 K
, H01L 39/02 ZAA W
, H01L 39/24 ZAA B
, C04B 35/00 ZAA
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