特許

J-GLOBAL ID：200903061079271556

パターン加工方法及び加工装置

発明者： 川▼崎▲ 孝 ,  伊集院 正仁 ,  中山 保彦
出願人/特許権者： 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社
代理人 (1件)： 平井 安雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-099884
公開番号（公開出願番号）：特開2002-292489
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月08日
要約：

【要約】【課題】 光源と基板との間のマスクを透過した光を基板表面の薄膜に照射し、薄膜を直接高精度に加工できると共に、必要最小限の大きさのマスクで大型サイズの基板も適切にマスクしつつ加工できるパターン加工方法及び加工装置を提供する。【解決手段】 薄膜に対し繰り返し形状などのパターン部分の加工を行う場合に、マスク20の出射光照射位置に対する相対速度の絶対値を基板11の出射光照射位置に対する相対速度の絶対値よりも小さくし、マスク20の限定された範囲内に光源30からの出射光を照射した状態で基板11を相対的に移動させ、マスク20の一部パターンを繰返し反映させて薄膜の加工を行うことから、繰り返し形状などのパターン部分に対応するマスクのパターンを繰り返し形状のごく一部としても確実に薄膜にパターンを反映させて加工することができ、マスクのパターンを大幅に省略してマスク全体の小型化が図れる。

請求項（抜粋）：

光源からの出射光を基板表面に成膜された薄膜に照射し、前記薄膜の被照射部分を加工するパターン加工方法において、前記薄膜の加工しないパターン部分を遮光するマスク、及び前記出射光を成形制御する光学系制御部をそれぞれ前記光源と基板との間に配設し、前記出射光が前記光学系制御部を介してマスクに照射され、且つ前記マスクを透過した出射光が前記基板の薄膜に照射される状態とし、前記出射光が、前記光学系制御部による制御及び/又は光学系制御部の移動で照射位置を移動可能とされると共に、前記マスク及び基板が、それぞれ平面的に移動可能とされ、前記マスク、基板、及び出射光照射位置のうち少なくともいずれか二つ以上を同期させて移動させつつ、マスクの一のパターン部分をそのまま相似形状で投影して前記薄膜を加工する第一工程と、前記出射光照射位置に対する前記基板の相対速度の絶対値を出射光照射位置に対する前記マスクの相対速度の絶対値より大きくする状態で、マスク、基板、及び出射光照射位置をそれぞれ停止又は移動させつつ、マスクの他のパターン部分を繰返し状態又は連続的な延長状態に投影して前記薄膜を加工する第二工程とを有することを特徴とするパターン加工方法。

IPC (6件)：

B23K 26/06 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/08 ,  H01J 9/02 ,  H01J 11/02 ,  B23K101:36

FI (8件)：

B23K 26/06 J ,  B23K 26/06 E ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/08 B ,  B23K 26/08 D ,  H01J 9/02 F ,  H01J 11/02 B ,  B23K101:36

Fターム (10件)：

4E068CA03 ,  4E068CA14 ,  4E068CB05 ,  4E068CD05 ,  4E068CD10 ,  4E068CE02 ,  4E068CE04 ,  4E068DA09 ,  5C027AA01 ,  5C040GC19