特許

J-GLOBAL ID：200903061079351045

位相制御エバネッセントフィールドシステムおよび方法

発明者： グエラ,ジョン エム.
出願人/特許権者： ポラロイド コーポレイション
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-510998
公開番号（公開出願番号）：特表2000-516723
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】位相制御エバネッセントフィールドに近接して位置づけされているとき、表層に置かれている実質的に波長以下の形状を生成するまたは検知することによって、リアルタイムでまたは実質的にリアルタイムで全フィールドについての情報を符号化および復号化する、位相制御エバネッセントフィールド(89)により物体(45)の層に設けられる形状を検知または生成するシステム(10)。このシステム(10)は、記録媒体(300)にサブミクロンの形状が検知され生成されるような高密度情報の格納の場合、特に有用である。エバネッセント電磁場を含む放射波は、物体(45)の表層に実質的に垂直な一定の位相の面を有する。

請求項（抜粋）：

位相制御エバネッセントフィールドにより物体の層(45)に設けられた形状を検知または生成するシステム(10)であって、前記システムは、 少なくとも1つの所定の波長と位相角を有する放射ビーム(85)の少なくとも1つのビームを供与する照射手段(39)と、 活性ファセット(44)を含む放射変換手段(24)であって、前記放射変換手段(24)は放射(85)の前記少なくとも1つのビームを受け、かつ、前記活性ファセット(44)で対応するエバネッセントフィールド(89)を生成するようにされ、前記エバネッセントフィールド(89)は等しい振幅(90)の面が前記活性ファセット(44)に実質的に平行であり、前記エバネッセントフィールド(89)は等しい位相(88)の面が前記活性ファセット(44)に実質的に垂直であり、前記エバネッセントフィールド(89)が物体(45)の層に近接して置かれた場合は、前記エバネッセントフィールド(89)は放射変換手段(24)の表面で伝播放射(51)を生成するようにした、放射変換手段と、 前記エバネッセントフィールド(89)の強度が前記ビーム(85)の位相の関数として変化するように、かつ、前記活性ファセット(44)にわたる等しい位相(88)の前記各面の変位が前記放射ビーム(85)の位相の関数として変化するように、前記放射ビーム(85)の前記所定の波長および位相角を選択的に制御する位相制御手段(41)とを備える、システム。

IPC (6件)：

G01N 13/14 ,  B82B 3/00 ,  G01B 9/02 ,  G01B 11/30 102 ,  G11B 7/135 ,  G11B 7/26

FI (7件)：

G01N 13/14 A ,  B82B 3/00 ,  G01B 9/02 ,  G01B 11/30 102 B ,  G01N 13/14 B ,  G11B 7/135 Z ,  G11B 7/26