特許
J-GLOBAL ID：200903061091222986
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-003086
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209102
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、炭化珪素等Siを含有する半導体層と電極金属との間のオーミック接触を確実にし、電極金属の凝集などの変形が起こらないようにすることを目的とする。【構成】 珪素を含有する半導体装置において、オーミック電極用材料としてニッケルとタングステンと含有しているものを用いる。【効果】熱処理時の1000°Cという高温においても融解、凝集しない電極を形成することができる。
請求項（抜粋）：
珪素を含有する半導体層と、前記半導体層上に形成されタングステン及びニッケルを主とするオーミック電極とを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/46
, H01L 21/28 301
