特許
J-GLOBAL ID:200903061094615849
半導体装置、それに用いる半導体チップ支持基板及び半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
富田 和子 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-287359
公開番号(公開出願番号):特開2001-110934
出願日: 1999年10月07日
公開日(公表日): 2001年04月20日
要約:
【要約】【課題】半導体チップ支持基板の一方の面に接着材を介してチップが搭載されている半導体装置の信頼性の向上および生産性の向上を図ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体チップ支持基板1の一方の面9aに接着材5を介してセンターパッドを有す半導体チップ3が搭載され、半導体チップ3のセンターパッド位置に対応する半導体チップ支持基板1及び接着材15の個所にそれぞれ開口部が設けられており、該開口部に封止材12が充填されている半導体装置において、接着材5に設けられた開口部14が半導体チップ支持基板1に設けられた開口部6に比べて大きくなる構造とする。
請求項(抜粋):
半導体チップ支持基板の一方の面にはインナー接続部及び外部接続部が設けられ、他方の面に形成された接着材を介してセンターパッドを有する半導体チップが搭載された半導体装置において、前記半導体チップのセンターパッド位置に対応する前記半導体チップ支持基板及び前記接着材層の位置にそれぞれ開口部が形成され、前記開口部を経由するボンディングリードにより前記半導体チップのパッドが前記インナー接続部と接続され、前記開口部に封止材が充填されているものであって、前記接着材層に形成された開口部が前記半導体チップ支持基板に形成された開口部に比べて大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/12
, H01L 21/52
, H01L 21/60 301
FI (4件):
H01L 21/52 E
, H01L 21/60 301 A
, H01L 23/12 L
, H01L 23/12 W
Fターム (11件):
5F044AA05
, 5F044JJ03
, 5F047AA17
, 5F047AB01
, 5F047BA21
, 5F047BA34
, 5F047BA35
, 5F047BA36
, 5F047BA39
, 5F047BA54
, 5F047BB03
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