特許
J-GLOBAL ID：200903061107107015
光半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-326814
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136529
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】 通電エージングや光出力の測定のための治具を簡素化し、またその作業を容易化する。完成品での歩留りを向上させる。【構成】 同一のヒートシンク11上に半導体レーザペレット16とレーザの光出力をモニタするための受光素子ペレット17とを搭載する。この状態で通電エージング用治具にセットし、光出力の測定および通電エージングを行い、良品のみをパッケージ内に搭載する。
請求項（抜粋）：
同一ヒートシンク上に半導体レーザペレットとモニター用の受光素子ペレットとを搭載する工程と、前記ヒートシンク上に搭載された状態の前記レーザペレットに対して通電試験を行う工程と、前記通電試験の前または/および通電試験後に、同一ヒートシンク上の受光素子ペレットを用いて前記半導体ペレットの光出力の測定を行う工程と、を具備する光半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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