特許

J-GLOBAL ID：200903061108081508

ウエーハ処理方法及びウエーハ処理装置

発明者： 廣瀬 実
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257294
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102117
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】分子レベルの有機物・無機物が付着した初期状態の異なる半導体ウェーハ表面であっても、均一かつ安定した半導体ウェーハ表面疎水化処理ができることにより、精密かつ微細なレジストパターンを形成し、高品位な回路形成が可能となるウェーハ処理方法及びウェーハ処理装置を提供すること目的とする。【構成】表面に有機物の付着したシリコンウェーハ4を密閉チャンバー2内のホットプレート6上に真空吸着し、オゾン発生装置14を用いてチャンバー2内にオゾンを導入し、所定の条件でシリコンウェーハ4表面をオゾンに曝すというオゾン処理を施した後、疎水化処理、ポジレジストの塗布、縮小投影露光装置による露光、更に現像を行って、シリコンウェーハ4表面上にレジストパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ表面をオゾンに曝すオゾン処理工程と、前記オゾン処理工程に引き続き、前記半導体ウェーハ表面に疎水化処理を行う疎水化処理工程と、前記半導体ウェーハ表面上に、所望のレジストパターンを形成するリソグラフィ工程とを有することを特徴とするウェーハ処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-025223
  
• 特開昭63-266825