特許

J-GLOBAL ID：200903061110278351

多結晶半導体薄膜、その形成方法、多結晶半導体TFT及びTFT基板

発明者： 増茂 邦雄 ,  欅田 昌也
出願人/特許権者： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-085472
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283438
出願日： 1996年04月08日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】高性能の多結晶半導体TFTを形成する。【解決手段】高速ビームアニール法において、ランダム配向性を示すA領域と、走査方向に対し平行方向及び垂直方向の電界効果移動度1、2に分離して異方性を示すG領域との間に分離走査速度VX があり、平行方向の電界効果移動度1のほぼピークを示す自発的結晶化速度(VP )の90〜110%の間の走査速度でビームアニールし、ストライプ幅40μm以上の多結晶シリコン半導体薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された幅が40μm以上のストライプ状の多結晶半導体薄膜であって、ストライプのほぼ中心部におけるストライプの長手方向における電界効果移動度νL とストライプの幅方向の電界効果移動度νS が異なり、νL ≧1.5・νS を満足することを特徴とする多結晶半導体薄膜。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 627 G