特許
J-GLOBAL ID：200903061120547636
集積型薄膜太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-100489
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307482
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】 ショート不良による効率低下を防止する。【構成】 ガラス基板11の一表面に基板側電極12を分割して配置し、基板側電極12の表面にp型半導体層13を形成し、p型半導体層13上にi型半導体層14、n型半導体層15、p型半導体層16、i型半導体層17およびn型半導体層18を形成し、半導体層14〜18をp型半導体層13が存在しない位置で半導体層分割分離溝により分離し、p型半導体層13の半導体層分割分離溝側の端部を半導体層分割分離溝からi型半導体層14の膜厚の5倍以上離し、n型半導体層18の表面に背面側電極19を形成し、背面側電極19を隣接する発電ユニットの基板側電極12に半導体層分割分離溝を介して接続する。
請求項（抜粋）：
同一基板上に分離形成された基板側電極上に、第1導電型半導体層、i型半導体層および上記第1導電型半導体層とは反対導電型の第2導電型半導体層を積層した積層半導体層を1層以上形成し、かつ上記積層半導体層を半導体層分割分離溝により分割し、分割された上記積層半導体層上に背面側電極を形成し、隣接する上記積層半導体層の上記基板側電極と上記背面側電極とを接続した集積型太陽電池において、上記第1導電型半導体層、上記第2導電型半導体層の少なくとも一方の上記半導体層分割分離溝側の端部を上記半導体層分割分離溝から上記i型半導体層の膜厚の5倍以上離したことを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 S
, H01L 31/04 W
