特許

J-GLOBAL ID：200903061126735299

堆積膜形成方法、光起電力素子、及び光起電力素子の連続的製造方法

発明者： 斉藤 恵志 ,  狩谷 俊光 ,  佐野 政史 ,  林 亨 ,  殿垣 雅彦 ,  丹羽 光行 ,  松山 深照 ,  幸田 勇蔵 ,  青池 達行
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-196047
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020971
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、電気特性が優れ、光劣化も少ない非単結晶半導体膜の高速堆積膜形成方法、より高品質なシリコン系非単結晶半導体光起電力素子及び連続して移動する帯状部材上に、大面積にわたって、高品質で優れた均一性を有す光起電力素子の連続的製造方法を提供することにある。【構成】 堆積膜堆積用の原料ガスをマイクロ波エネルギーで分解し基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、内圧50mTorr以下の真空度で、該原料ガスを100%分解するに必要なマイクロ波エネルギーより低いマイクロ波エネルギーを前記原料ガスに作用させ、且つ同時に該マイクロ波エネルギーより高いRFエネルギーを前記原料ガスに作用させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

堆積膜堆積用の原料ガスをマイクロ波エネルギーで分解し基板上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、内圧50mTorr以下の真空度で、該原料ガスを100%分解するに必要なマイクロ波エネルギーより低いマイクロ波エネルギーを前記原料ガスに作用させ、且つ同時に該マイクロ波エネルギーより高いRFエネルギーを前記原料ガスに作用させることを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/16 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 T

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-016329
  
• 特開昭63-205910
  
• 特開平3-072620