特許
J-GLOBAL ID：200903061128038307
ブリッジマン型単結晶育成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-091427
公開番号（公開出願番号）：特開平11-292681
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1999年10月26日
要約：
【要約】【課題】 単結晶育成を常時安定して行い得るようにしたブリッジマン型単結晶育成装置を提供する。【解決手段】 上下方向に配した中空炉心管11と、該中空炉心管11の管軸方向所定範囲に設定されて、単結晶原料15を溶融すべく急峻な温度勾配に加熱制御される単結晶育成帯域12とを有し、該単結晶育成帯域12内で単結晶原料15を容納したるつぼ14を通過させ、該単結晶原料15を溶融して単結晶を成長させるブリッジマン型単結晶育成装置において、前記単結晶育成帯域12の下方に、該単結晶育成帯域12を経て成長された多結晶を所定の加温温度で所定時間加温し、かつ加温処理後に徐冷するアニール用の加温帯域13を設けたブリッジマン型単結晶育成装置。
請求項（抜粋）：
上下方向に配した中空炉心管と、該中空炉心管の管軸方向所定範囲に設定されて、単結晶原料を溶融すべく急峻な温度勾配に加熱制御される単結晶育成帯域とを有し、該単結晶育成帯域内で単結晶原料を容納したるつぼを通過させ、該単結晶原料を溶融して単結晶を成長させるブリッジマン型単結晶育成装置において、前記単結晶育成帯域の下方に、該単結晶育成帯域を経て成長された多結晶を所定の加温温度で所定時間加温し、かつ加温処理後に徐冷するアニール用の加温帯域を設けたことを特徴とするブリッジマン型単結晶育成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 11/00 Z
, C30B 29/22 C
