特許
J-GLOBAL ID：200903061129253171
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-197756
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031383
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 そのリフレッシュ周期を使用周波数に応じて最適化しうるシンクロナスDRAM等を実現する。また、シンクロナスDRAM等ならびにこれを含むメモリシステム等の低消費電力化を図り、そのビジー率を低減する。【解決手段】 セルフリフレッシュモードを有しリフレッシュ制御回路を具備するシンクロナスDRAM等の半導体記憶装置において、そのリフレッシュ周期を使用周波数に応じて選択的に切り換え得るべくその製品仕様書に規定するとともに、シンクロナスDRAM等に、リフレッシュ周期を外部から選択的に切り換えるためのリフレッシュ周期制御信号入力端子RCC0及びRCC1を設ける。これにより、シンクロナスDRAM等のセルフリフレッシュモードにおけるリフレッシュ周期をその使用周波数に応じて選択的に切り換え、最適化する。
請求項（抜粋）：
そのリフレッシュ周期が使用周波数に応じて選択的に切り換えられることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 11/406
, G11C 11/407
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
G11C 11/34 363 L
, G11C 11/34 362 S
, G11C 11/34 363 N
, H01L 27/10 681 G
