特許

J-GLOBAL ID：200903061131837873

光半導体素子及びその製造方法

発明者： 岸 博義
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 加藤 一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-139470
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326823
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：

【要約】【目的】TE波、TM波共に低反射率にでき、更に端面を保護する性能の高い光学膜を端面に持つ光半導体素子及びその製造方法である。【構成】端面に光学膜を施した光半導体素子1である。光学膜は、2層の誘電体薄膜2、3の組み合わせからなり、端面側の第1の薄膜2は窒化シリコン(SiNx)からなり、第2の薄膜3は、典型的にはSiO2である酸化シリコンからなる。

請求項（抜粋）：

端面に反射防止の光学膜を施した半導体レーザ構造を有する半導体光増幅器において、該光学膜は、2層の誘電体薄膜の組み合わせからなり、該半導体レーザ構造端面側の第1の薄膜は、屈折率が2.50〜2.65である窒化シリコン(SiNx)からなり、第2の薄膜はSiO2からなることを特徴とする光半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00