特許

J-GLOBAL ID：200903061135554361

高導電性トレンチ構造

発明者： ブライアン エス、モー
出願人/特許権者： フェアチャイルド・セミコンダクター・コーポレイション
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-199084
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044435
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】 低抵抗ゲートおよび高速スイッチングを実現するトレンチ型MOSFET等のためのトレンチを提供する。【解決手段】 本発明は高融点金属等の高伝導度材料で充填されたトレンチ構造を提供する。トレンチはまず、二酸化シリコン等の誘電体材料によってライニングされる。次に、ポリシリコン層が前記誘電体層の上に形成され、応力軽減のためのバッファ作用を提供する。本トレンチは次に、タングステン等の高融点金属で本質的に充填される。

請求項（抜粋）：

トレンチ構造であって、基板中に形成されたトレンチ、前記トレンチの少なくとも1つの壁をライニングして誘電体層を形成する誘電体材料、前記誘電体層上に形成された、第1の伝導度を有するバッファ層、前記バッファ層に隣接しそれに対して電気的につながれた、前記第1の伝導度よりも大きい第2の伝導度を有する高伝導度層、を含むトレンチ構造。

IPC (8件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 29/43 ,  H01L 21/336

FI (9件)：

H01L 29/78 652 M ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 653 C ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 658 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-145628
  
• 半導体装置およびその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-143349   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-340830   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-169125   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-145628