特許
J-GLOBAL ID：200903061137335659
縦型電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-338589
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181309
出願日： 1995年12月26日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 高速動作が可能なSi/SiGeヘテロ構造縦型電界効果型トランジスタ及びその製造方法を提供するものである。【解決手段】 ソース領域となるシリコン膜、チャネル領域となるSiGe膜、ドレイン領域となるシリコン膜が縦方向に配置されており、島状半導体層を形成している。島状半導体層の表面層に厚みが100オングストローム以下のシリコン層がエピタキシャル形成されており、前記シリコン層の表面にゲート酸化膜が、前記島状半導体層の側面にゲート電極が形成された構成になっている。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に形成されており第1導電型の不純物が添加されたソース層又はドレイン層となる第1の不純物層と、前記第1の不純物層の上に形成されており第2導電型の不純物が添加されたチャネル層となる第2の不純物層と、前記第2の不純物層の上に形成されており第1導電型の不純物が添加されたドレイン層又はソース層となる第3の不純物層と、前記第2の不純物層の側面にシリコン層とゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを備え、前記第2の不純物層が前記第1の不純物層に対してエピタキシャル成長したシリコンとゲルマニウムとの合金であることを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 652 Z
, H01L 29/78 652 T
