特許
J-GLOBAL ID:200903061139265828

微細窪みへの液浸入方法及び装置、及び微細窪みへのメッキ方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 熊谷 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-252758
公開番号(公開出願番号):特開平11-087273
出願日: 1997年09月02日
公開日(公表日): 1999年03月30日
要約:
【要約】【課題】 微細な窪みの内部にメッキ液等の各種液体を浸入させることができる微細窪みへの液浸入方法及び装置、及び微細窪みへのメッキ方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ100の微細な窪み101を設けた部分の表面をメッキ液に触れさせるようにメッキ液を導入する液収納手段20と、メッキ液に触れている半導体ウエハ100の微細な窪み101内に残留する気体を加熱する加熱手段70と、液収納手段20内に導入したメッキ液を所定の圧力に制御する圧力制御手段50とを具備する。液収納手段20内にメッキ液を導入した後、加熱手段70によって微細な窪み101内に残留する気体を加熱すると同時に液収納手段20内に充填したメッキ液を圧力制御手段50によって加圧しておき、その後メッキ液を圧力制御手段50によって減圧することで微細な窪み101内に残留する気体を膨張させて微細な窪み101内から追い出しメッキ液を浸入させる。
請求項(抜粋):
基材表面に設けた微細な窪み内部へ所望の液体を浸入せしめる微細窪みへの液浸入方法において、前記基材の微細な窪みを設けた部分の表面を所望の液体に触れさせた状態で、前記微細な窪み内に残留する気体を加熱すること及び/又は前記液体の加圧・常圧を繰り返すことによって、前記残留する気体を膨張せしめて微細な窪み内から追い出して微細な窪み内に前記液体を浸入せしめることを特徴とする微細窪みへの液浸入方法。
IPC (2件):
H01L 21/288 ,  C23C 18/31
FI (2件):
H01L 21/288 E ,  C23C 18/31 F

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