特許

J-GLOBAL ID：200903061142777970

半導体ウエハメッキ装置

発明者： 小榑 直明 ,  本郷 明久 ,  井上 裕章
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 熊谷 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-264861
公開番号（公開出願番号）：特開平11-080993
出願日： 1997年09月10日
公開日（公表日）： 1999年03月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハ表面の各部のメッキ膜厚の均一化が図れ、同時に半導体ウエハ表面に設けた複数の微細溝や微細孔内を均一且つ確実にメッキすることができる半導体ウエハメッキ装置を提供する。【解決手段】 筒形状のアノードケース30の内部にアノード40とアノードケース30内のメッキ液11に上昇うず流を発生させる上昇うず流発生機構50とを収納する。アノードケース30を半導体ウエハ100上のメッキ形成領域直上に設置した状態でメッキ形成領域部分を電解メッキする。上昇うず流発生機構50はアノード40を軸支して回転する回転軸41に羽根51を設けて構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの表面に設けた微細溝や微細孔を電解メッキする半導体ウエハメッキ装置において、筒形状のアノードケースの内部に、アノードと、該アノードケース内のメッキ液に上昇うず流を発生させる上昇うず流発生機構とを収納し、前記アノードケースを半導体ウエハ上のメッキ形成領域直上に設置した状態で該メッキ形成領域部分を電解メッキすることを特徴とする半導体ウエハメッキ装置。