特許

J-GLOBAL ID：200903061146403527

微細レジストパターンの形成方法

発明者： 石橋 健夫 ,  石川 英一 ,  金井 達
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-221444
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069120
出願日： 1992年08月20日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、高精度で微細パターンを形成することができるように改良された、微細レジストパターンの形成方法を得ることを最も主要な特徴とする。【構成】 基板の上に、ナフトキノンジアジドとノボラック樹脂とを含むポジ型フォトレジスト1を塗布する。ポジ型フォトレジスト1の上に、アルカリ性に調整されたレジスト上層反射防止膜9を塗布する。レジスト上層反射防止膜9が塗布されたポジ型フォトレジスト1に向けて、光を選択的に照射する。ポジ型フォトレジスト1を現像する。

請求項（抜粋）：

基板の上に、ナフトキノンジアジドとノボラック樹脂とを含むポジ型フォトレジストを塗布する工程と、前記ポジ型フォトレジストの上に、該ポジ型フォトレジストの表面を難溶化するために、アルカリ性に調整されたレジスト上層塗布膜を塗布する工程と、前記レジスト上層塗布膜が塗布された前記ポジ型フォトレジストに向けて光を選択的に照射する工程と、前記ポジ型フォトレジストを現像する工程と、を備えた微細レジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511

FI (2件)：

H01L 21/30 361 S ,  H01L 21/30 361 T