特許

J-GLOBAL ID：200903061148719211

六方晶窒化ホウ素板及びその製造方法、用途

発明者： 川崎 卓 ,  城所 隆 ,  平島 豊
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304471
公開番号（公開出願番号）：特開2002-114575
出願日： 2000年10月04日
公開日（公表日）： 2002年04月16日
要約：

【要約】【課題】優れた被切削性、耐熱衝撃性、電気絶縁性、低誘電性、低誘電損失性を有し、しかも厚さ方向の熱伝導率が150W/m・K以上の六方晶窒化ホウ素板と、それを用いた半導体用基板を提供する。【解決手段】厚み方向における熱伝導率が150W/m・K以上、密度が1.8g/cm3以上、入射X線と回折X線が板平面の法線に対称となるようにX線を入射させてなるX線回折測定において、(002)回折線と(100)回折線のピーク強度比I(002)/I(100)が4.0以下であることを特徴とする六方晶窒化ホウ素板。この六方晶窒化ホウ素板からなる半導体用基板。六方晶窒化ホウ素板の製造方法。

請求項（抜粋）：

厚み方向における熱伝導率が150W/m・K以上、密度が1.8g/cm3以上、入射X線と回折X線が板平面の法線に対称となるようにX線を入射させてなるX線回折測定において、(002)回折線と(100)回折線のピーク強度比I(002)/I(100)が4.0以下であることを特徴とする六方晶窒化ホウ素板。

IPC (4件)：

C04B 35/583 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/373

FI (4件)：

C04B 35/58 103 U ,  H01L 23/12 D ,  H01L 23/14 C ,  H01L 23/36 M

Fターム (12件)：

4G001BA33 ,  4G001BB33 ,  4G001BC42 ,  4G001BD03 ,  4G001BD04 ,  4G001BD12 ,  4G001BD23 ,  4G001BD38 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BC22 ,  5F036BD14