特許

J-GLOBAL ID：200903061160155994

半導体装置及びその製造方法

発明者： 末廣 晴彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332216
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193225
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 オーミック電極のコンタクト抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 半絶縁性半導体基板10上に、エッチング停止層12と、2次元電子チャネル19が形成される能動層18と、能動層18に電子を供給する第1導電型電子供給層20とが順次積層されているHEMTであって、オーミック電極24、26が形成される能動層18下の領域に一部が面接触する第1導電型半導体層14、16が挿入され、第1導電型半導体層14、16上にオーミック電極24、26が形成されている。

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板と、前記半絶縁性半導体基板上に形成され、2次元電子チャネルが形成される能動層と、前記能動層上に形成され、前記能動層に電子を供給する第1導電型電子供給層とを有する半導体装置において、オーミック電極が形成される前記能動層下の領域に挿入され、前記能動層と一部が面接触する第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に形成されたオーミック電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 29/80 H ,  H01L 21/306 B ,  H01L 29/80 F