特許
J-GLOBAL ID：200903061172332522
人工水晶育成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269699
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089297
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：
【要約】【課題】 Q値が一定な均質な人工水晶を育成することができるとともに、育成期間の短縮化を図ること。【解決手段】 高圧容器の溶解域側の加熱温度は、育成域側より高い加熱温度で加熱を開始する。その後、育成日数が増す毎に、加熱温度を漸次上昇させて行き、所定育成日数が経過したなら、その温度を漸次下降させるように、その加熱温度を放物線が下方に向かって開き描くように制御する。また、高圧容器の育成域側の加熱温度は、溶解域側より低い加熱温度で加熱を開始する。その後、育成日数が増す毎に、加熱温度を漸次下降させて行き、所定育成日数が経過したなら、その温度を漸次上昇させるように、その加熱温度を放物線が上方に向かって開き描くように制御する。
請求項（抜粋）：
育成域側の温度条件とこれより高温の溶解域側の温度条件とにおける少なくとも一方の域側の温度条件を漸次上昇又は下降する放物線状を描く温度条件にして人工水晶を育成することを特徴とする人工水晶育成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (6件)：
4G077AA02
, 4G077BB03
, 4G077CB03
, 4G077EA01
, 4G077EG20
, 4G077KA09
