特許

J-GLOBAL ID：200903061175617242

フォトマスクの製造方法

発明者： 浜野 広 ,  谷中 真澄 ,  小澤 進 ,  藤原 博之
出願人/特許権者： 株式会社沖デジタルイメージング ,  株式会社沖データ
代理人 (1件)： 前田 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-049256
公開番号（公開出願番号）：特開2003-248294
出願日： 2002年02月26日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィ工程に用いられるフォトマスクは、その遮光パターンに静電気が生じて電気的に独立した個々のパターン間に電位差が生じ、放電による静電破壊でパターンが破壊される問題があった。新たな除電設備や、特殊な製造過程を導入することなく、容易に製造可能で、且つ確実に静電破壊を防止できるフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】 フォトマスク基板1に形成される遮光パターン2の電気的に独立した独立パターン2、周辺遮光部4を、ダミーパターン3で電気的に接続する。また、このダミーパターン3は、転写時にこれに対応する転写パターンが生じない程度の幅で形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置を製造するフォトリソグラフィ工程に用いるフォトマスクの製造方法において、フォトマスク基板に、島状の複数の独立パターンと、各独立パターン間を電気的に接続するダミーパターンとを形成し、前記フォトリソグラフィ工程における、解像限界となる前記ダミーパターンの最小幅をWcとしたとき、形成する前記ダミーパターンの幅W1が、式W1<Wcを満たすように前記ダミーパターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (3件)：

2H095BA01 ,  2H095BB01 ,  2H095BB31