特許

J-GLOBAL ID：200903061176735672

カルボキシル基を含むホスホニウム塩の製造方法

発明者： 石 崎 達 也 ,  大 橋 賢 治 ,  菊 地 俊 光
出願人/特許権者： 北興化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-151548
公開番号（公開出願番号）：特開2002-338587
出願日： 2001年05月21日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】【課題】【化1】(式中、Ar1、Ar2、Ar3は、アルキル基、アルコキシ基で置換されていてもよいフェニル基を表し、互いに同一でもまたは異なってもよい。Xはハロゲン原子を表し、nは2〜12の整数を示す。炭素骨格は直鎖であっても分岐していてもよい。)で表されるカルボキシアルキルトリアリールホスホニウムハライドを温和な反応条件下で、高品位かつ高収率で得ること。【解決手段】一般式(I)で表されるトリアリールホスフィンと一般式(II)で表されるハロゲン化カルボン酸とをケトン類溶媒の存在下で反応させ、析出した反応生成物の結晶を濾取することによる。【化2】(式中、Ar1、Ar2、Ar3、nおよびXは、それぞれ前記と同様である。)

請求項（抜粋）：

一般式(I)で表されるトリアリールホスフィンと、【化1】(式中、Ar1、Ar2、Ar3は、アルキル基、アルコキシ基で置換されていてもよいフェニル基を表し、互いに同一でもまたは異なってもよい。)一般式(II)で表されるハロゲン化カルボン酸とを【化2】(式中、Xはハロゲン原子を表し、nは2〜12の整数を示す。炭素骨格は直鎖であっても分岐していてもよい。)ケトン類溶媒の存在下で反応させることを特徴とする、一般式(III)で表されるカルボキシル基含有ホスホニウム塩の製造方法。【化3】(式中、Ar1、Ar2、Ar3、nおよびXは、それぞれ前記と同様である。)

Fターム (5件)：

4H050AA02 ,  4H050AC90 ,  4H050AD15 ,  4H050AD17 ,  4H050BB16