特許
J-GLOBAL ID：200903061180453843
枚葉型エピタキシャル成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007828
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198514
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル成長工程を連続して行うことによってスループットを大幅に向上する。【構成】 半導体基板4は、位置合せ装置6によってそのオリエンテーションフラットが所定位置に位置合せされかつ芯出しされた後に、搬送機構7によってサセプター16の真上に搬送される。このサセプター16は回転位置がリセット機構によって予め初期位置にリセットされている。ウエーハチャックテーブル18は上昇し半導体基板4を搬送機構7から受取り、下降して半導体基板4をサセプター16に載置する。半導体基板4が位置合せされ、かつサセプター16が初期位置にリセットされているので、半導体基板4は常にサセプター16の同一位置に載置される。この後に、反応容器1が被覆され、エピタキシャル成長処理が行われる。
請求項（抜粋）：
一枚の半導体基板を載置する回転可能なサセプターを内蔵し上記サセプターを回転しながら上記半導体基板の表面にエピタキシャル成長層を形成する反応容器を具備する枚葉型エピタキシャル成長装置において、上記反応容器の外部に設置され、半導体基板を基準位置に位置合せする位置合わせ装置と、上記位置合せ装置によって位置合せされた半導体基板を上記位置合せ装置から上記サセプターに搬送する搬送機構と、この搬送機構によって搬送された半導体基板が上記サセプターに載置される前に、上記サセプターを初期位置にリセットするリセット機構とを具備することを特徴とする枚葉型エピタキシャル成長装置。
IPC (2件)：
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