特許
J-GLOBAL ID：200903061181602168
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-185643
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051086
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 拡散層エッジでの拡散層周辺のSiとシリサイド化を行う膜とのシリサイド反応を生じ難くすることができ、ジャンクションリークを低減することができる。【構成】 拡散層5を覆うように全面にカーボン膜6を形成し、カーボン膜6を拡散層5界面のエッジ部分に残すようにエッチングし、拡散層5を覆うように全面にシリサイド化させる膜7を形成した後、シリサイド化させる膜7を構成する構成元素と拡散層5を構成するSiとを反応させて、拡散層5表面部分にシリサイド膜8を形成し、未反応部分のシリサイド化させる膜7をエッチングして除去し、カーボン膜6をエッチングして除去した後、シリサイド膜8上に開口部10を有する絶縁膜9を形成し、その後、開口部10内のシリサイド膜8とコンタクトするように配線層11,12,13を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板(1)に該シリコン基板(1)を選択酸化してフィールド酸化膜(4)を形成する工程と、次いで、該フィールド酸化膜(4)をマスクとして、該フィールド酸化膜(4)間の該シリコン基板(1)表面部分に拡散層(5)を形成する工程と、次いで、該拡散層(5)を覆うように反応防止膜(6)を形成する工程と、次いで、該反応防止膜(6)を該拡散層(5)界面のエッジ部分に対応する領域に残すようにエッチングする工程と、次いで、該拡散層(5)を覆うようにシリサイド化させる膜(7)を形成する工程と、次いで、該シリサイド化させる膜(7)を構成する構成元素と該拡散層(5)を構成するSiとを反応させて、該拡散層(5)表面部分にシリサイド膜(8)を形成する工程と、次いで、未反応部分の該シリサイド化させる膜(7)をエッチングして除去する工程と、次いで、該反応防止膜(6)をエッチングして除去する工程と、次いで、該シリサイド膜(8)上に開口部(10)を有する絶縁膜(9)を形成する工程と、次いで、該開口部(10)内の該シリサイド膜(8)とコンタクトするように配線層(11,12,13)を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
