特許

J-GLOBAL ID：200903061183428432

半導体製造装置

発明者： 境 正憲
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-302857
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144581
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】反応炉内の水分量を測定し、製造プロセスにおける反応ガス中の水分に起因する薄膜の膜質や、結晶性の変化を製造行程中に検知し、不良製品の発生を極力抑え、素子製造における品質ならびに歩留まりの向上がはかられる半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体製造過程の各プロセスを実施する反応炉と、反応炉に反応ガスを導入する手段と、反応炉を所定の圧力にするためのガス排気手段とを少なくとも備えた半導体製造装置において、反応炉もしくは反応炉に連通して接続されている部分に、反応ガス中の水分量を測定する水分計を設けた半導体製造装置とする。

請求項（抜粋）：

半導体製造過程の各プロセスを実施する反応炉と、該反応炉に反応ガスを導入する手段と、上記反応炉を所定の圧力にするためのガス排気手段とを少なくとも備えた半導体製造装置において、上記反応炉もしくは反応炉に接続されている部分に、反応ガス中の水分量を測定する水分計を備えたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501

FI (4件)：

H01L 21/02 Z ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 D