特許
J-GLOBAL ID：200903061184895832
半導体微粒子ドープガラスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-345459
公開番号（公開出願番号）：特開平6-171957
出願日： 1992年11月30日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：
【要約】【目的】 均一な硫化および半導体微粒子の粒径の均一化ができ、高い非線形光学定数を有するガラスを得る。【構成】 ゾル・ゲル法により半導体微粒子ドープガラスを製造する。ガラス骨格となるべき原料の他に、硫化水素またはイオウを発生する原料および硫化物が半導体としての性質を有することなるカチオンをゾルまたはゲル中に含有させる。また、半導体となるべき金属種以外の金属種を少なくとも1種含有させる。
請求項（抜粋）：
ゾル・ゲル法により半導体微粒子ドープガラスを製造するにあたり、ガラス骨格となるべき原料の他に、硫化水素またはイオウを発生する原料および硫化物が半導体としての性質を有することとなるカチオンをゾルまたはゲル中に含有させるとともに、半導体となるべき金属種以外の金属種を少なくとも1種含有させることを特徴とする半導体微粒子ドープガラスの製造方法。
IPC (3件)：
C03B 8/02
, C01G 11/02
, G02F 1/35 505
