特許
J-GLOBAL ID：200903061194621218
強誘電体材料および該材料をゲートとして用いたMFSFET
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-156041
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350100
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、ゲート上に形成する強誘電体薄膜材料としてBiとTiの酸化物を使用する場合に、該材料中にさらに特定のイオンあるいは原子を添加することによって、不安定性を低減し、デバイスとしての動作を安定向上させることができる強誘電体薄膜材料および該材料を使用したMFSFETを提供する点にある。【構成】 Ba、Ti酸化物とSr、Ti酸化物の固溶体(以下、BSTOという)に、該BSTOがn型の場合にはアクセプタとなりうる元素、また該BSTOがP型の場合にはドナーとなりうる元素を添加したもので構成されることを特徴とする強誘電体材料および該材料を使用したMFSFET。
請求項（抜粋）：
Ba、Ti酸化物とSr、Ti酸化物の固溶体(以下、BSTOという)に、該BSTOがn型の場合にはアクセプタとなりうる元素、また該BSTOがp型の場合にはドナーとなりうる元素を添加したもので構成されることを特徴とする強誘電体材料。
IPC (4件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, C01G 23/00
, H01L 29/62
