特許
J-GLOBAL ID:200903061195323156
スパッタリング装置及び半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-191495
公開番号(公開出願番号):特開2003-007644
出願日: 2001年06月25日
公開日(公表日): 2003年01月10日
要約:
【要約】【課題】 スパッタリング時における基板温度の安定化が図られたスパッタリング装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 スパッタリング装置は、真空処理チャンバーと、前記チャンバー内に配設された基板載置用のステージ電極と、ステージ電極に対してプラズマ放電を形成するよう配設されたターゲット電極と、ステージ電極上に配設され前記基板と実質的に同一の温度変化を生じる基板温度測定用のブロックと、温度制御部とを備え、温度制御部が、チャンバーおよびステージ電極の温度を互いに独立して制御する各温度制御手段を有し、これら両温度制御手段に対し、前記ブロックの温度に基づいてチャンバーおよびステージ電極の温度を相補なって制御するように指令し、それによって基板の温度を一定に保持する。
請求項(抜粋):
真空処理チャンバーと、前記チャンバー内に配設された基板載置用のステージ電極と、ステージ電極に対してプラズマ放電を形成するよう配設されたターゲット電極と、ステージ電極上に配設され前記基板と実質的に同一の温度変化を生じる基板温度測定用のブロックと、温度制御部とを備え、温度制御部が、チャンバーおよびステージ電極の温度を互いに独立して制御する各制御手段を有し、これら両制御手段に対し、前記ブロックの温度に基づいてチャンバーおよびステージ電極の温度を相補なって制御するように指令し、それによって基板の温度を一定に保持するスパッタリング装置。
IPC (3件):
H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, C23C 14/34
FI (3件):
H01L 21/285 S
, H01L 21/285 301 S
, C23C 14/34 K
Fターム (17件):
4K029AA06
, 4K029BA24
, 4K029BD01
, 4K029CA05
, 4K029DA08
, 4K029DC03
, 4K029GA01
, 4M104AA01
, 4M104BB20
, 4M104CC01
, 4M104DD02
, 4M104DD23
, 4M104DD39
, 4M104DD78
, 4M104DD84
, 4M104GG10
, 4M104HH16
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