特許

J-GLOBAL ID：200903061204863894

圧電体単結晶の製造方法

発明者： 嶋貫 専治 ,  原田 耕一 ,  山下 洋八 ,  小林 剛史 ,  斉藤 史郎 ,  泉 守
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199588
公開番号（公開出願番号）：特開2000-016900
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：

【要約】【課題】 組成変動を抑制して、優れた電気機械結合係数を示す圧電体単結晶を製造できる方法を提供する。【解決手段】 ヒーター(6)により局所的温度勾配を形成してるつぼ(1)を加熱し、るつぼ(1)を移動させて複合ペロブスカイト型酸化物からなる圧電体単結晶(3)を製造するにあたり、るつぼ(1)内に酸化鉛の固形体と圧電体単結晶を構成する原料の焼結体(5)とを分離して収容し、酸化鉛の固形体を溶融させて融液(4)を形成したときに、るつぼの口径をr(mm)、融液の高さをh(mm)として、3≦h≦200、かつ0.03≦h/r≦10の範囲となるように調整する。

請求項（抜粋）：

酸化鉛、酸化ニオブおよび酸化チタンを含む原料をるつぼに収容し、加熱源により局所的温度勾配を形成して前記るつぼを加熱し、前記るつぼを移動させて複合ペロブスカイト型酸化物の圧電体単結晶を製造するにあたり、前記るつぼ内に酸化鉛の固形体と圧電体単結晶を構成する原料の焼結体とを分離して収容し、前記酸化鉛の固形体を溶融させて融液を形成したときに、前記るつぼの口径をr(mm)、前記融液の高さをh(mm)として、3≦h≦200、かつ0.03≦h/r≦10の範囲となるように調整することを特徴とする圧電体単結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/22 ,  C30B 11/00 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (5件)：

C30B 29/22 Z ,  C30B 11/00 Z ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 C ,  H01L 41/22 A

Fターム (11件)：

4G050DA04 ,  4G050DB04 ,  4G050DB08 ,  4G050DB33 ,  4G077AA02 ,  4G077BC34 ,  4G077CD02 ,  4G077EG02 ,  4G077EG18 ,  4G077EH07 ,  4G077HA11