特許

J-GLOBAL ID：200903061209084001

ドライエッチング終点検出方法

発明者： 堀尾 正弘
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 西田 新
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020250
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217954
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 シリコン窒化膜のドライエッチングの制御性を向上し、その終点の検出の精度を高めるドライエッチング終点検出方法を提供する。【構成】 組成成分CHF3 /CF4 /Ar/O2 からなるガス雰囲気中で、シリコン酸化膜を下地膜とするシリコン窒化膜のプラズマドライエッチングを行う際に、下記の波長λの範囲(1),(2),(3) のいずれかの波長の発光強度をモニタし、その発光強度の減少する時点をエッチングの終点とする。3350Å≦λ≦3400Å・・・・(1)3550Å≦λ≦3600Å・・・・(2)3850Å≦λ≦3900Å・・・・(3)

請求項（抜粋）：

組成成分CHF3 /CF4 /Ar/O2 からなるガス雰囲気中で、シリコン酸化膜を下地膜とするシリコン窒化膜のプラズマドライエッチングを行う際に、下記の波長λの範囲(1),(2),(3) のいずれかの波長の発光強度をモニタし、その発光強度が減少する所定の時点を、上記プラズマドライエッチングの終点とするドライエッチング終点検出方法。3350Å≦λ≦3400Å・・・・(1)3550Å≦λ≦3600Å・・・・(2)3850Å≦λ≦3900Å・・・・(3)

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  G01N 21/71