特許
J-GLOBAL ID：200903061209843166
半導体素子用支持板、半導体装置及び半導体装置実装体
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-243820
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068592
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 外部放熱板の装着時の半導体素子の特性劣化を防止し、電気的信頼性を向上させた半導体素子用支持板(ヒートシンク)、半導体装置及び半導体装置実装体を提供する。【解決手段】 半導体素子固着部(第1本体部)、外壁部12、半導体素子固着部よりも薄い周辺部(第2本体部)と、外壁部12の外側に形成された応力吸収部16とを備えている。応力吸収部16は断面U字溝、又はV字溝等の溝で形成されている。支持板10の表面中央部上には半導体素子20を搭載し、コーティング部材30でモールドし1次実装を行う。そして、放熱板結合部13に外部放熱板40をはめ込む2次実装時において、応力吸収部16はこの2次実装により発生する応力の伝搬を緩和するので、応力歪みが支持板10と半導体素子20との接合界面に発生しない。
請求項（抜粋）：
板状の半導体素子固着部と、該半導体素子固着部を取り囲み、内部に半導体素子搭載用凹部を構成する外壁部と、該外壁部の外側において、前記半導体素子固着部よりも薄い板状に形成され、且つその外周部を放熱板結合部とする周辺部と、前記外壁部の外側の前記周辺部に形成された応力吸収部とを備えたことを特徴とする半導体素子用支持板。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 23/36
, H01L 23/48
H01L 23/12 J
, H01L 23/48 G
, H01L 23/36 C
5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BB08
, 5F036BC01
, 5F036BD01
