特許
J-GLOBAL ID：200903061212650689
半導体材料の評価方法とその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067209
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232396
出願日： 1996年02月27日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 半導体材料にP型およびN型半導体からなる冶金学的接合を作製し、その電気特性により材料の品質を評価する半導体材料の評価方法において、真の拡散電流及び発生ライフタイムを得るためのJ-Wプロットの作成手順と装置の提供。【解決手段】 リーク電流の過渡成分は、半導体内部の酸素折出物の結晶欠陥に捕獲されているキャリアの分布が電界に存在する場合と存在しない場合とで異なるために生じるため、これを除去したデータよりJ-Wプロットを作成した場合に、真の拡散電流と発生ライフタイムが得られる。
請求項（抜粋）：
被検査半導体材料にPN接合あるいはショットキー接合を形成し、この接合に逆バイアスを印加してリーク電流及び接合容量を求め、リーク電流の経時変化が測定系の精度以下となった時の電流値を求めることにより電流測定時に過渡電流成分を除去し、リーク電流および接合容量のバイアス依存性よりリーク電流あるいはリーク電流密度の空乏層依存性を求め、得られたリーク電流密度の空乏層依存性よりリーク電流の拡散電流成分と該接合空乏層中におけるキャリア発生ライフタイムを求める半導体材料の評価方法。
FI (2件)：
H01L 21/66 M
, H01L 21/66 Y
