特許

J-GLOBAL ID：200903061218712570

T字型ゲート電極の形成方法

発明者： 竹居滋郎
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-136956
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335339
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 簡単な工程により、特にT字型の上部部分の形状の安定化を行い、トランジスタの性能のばらつきを少なくするT字型ゲート電極の形成方法。【構成】 基板1上に下層レジスト2をパターンニングし、その上に電極材料5を成膜し、成膜された電極材料5上に上層レジスト3の成膜、パターンニングを行い、パターンニングされた上層レジスト3をマスクとして電極材料5をエッチングしてT字型の上部部分を形成し、その後、レジスト2、3の剥離を行う。上層レジストは1回しか現像されないため、特に、T字型の上部部分形状の一定化、安定化を行うことが容易にでき、このT字型ゲート電極を用いるトランジスタの性能のばらつきを少なすることができる。

請求項（抜粋）：

T字型ゲート電極の形成方法において、基板上に下層レジストをパターンニングし、その上に電極材料を成膜し、成膜された電極材料上に上層レジストの成膜、パターンニングを行い、パターンニングされた上層レジストをマスクとして電極材料をエッチングしてT字型の上部部分を形成し、その後、レジストの剥離を行うことを特徴とするT字型ゲート電極の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/302