特許

J-GLOBAL ID：200903061218981679

半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： 中山 毅 ,  川津 善平 ,  マルクス・ディートハード
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-238695
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068593
出願日： 1998年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 選択成長法により結晶性の良い窒化物半導体レーザを提供すること、及び活性領域の電流経路幅の調整が容易な窒化物半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板を用い、その上に窒化物半導体を選択成長させて積層構造を形成するとともに、その積層構造の作製中、中間段階でストライプ状の開口部を有する高電気抵抗層を1層以上挿入する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたマスクパターン開口部上に選択的に成長させ、リッジストライプ形状に積層された第1の半導体積層と、該第1の半導体積層を覆い、その上端面にストライプ状開口部を有する第1の高電気抵抗層と、該高電気抵抗層の開口部の上に選択的に成長させた第2の半導体積層とからなり、上記第1及び第2の半導体積層材料および高電気抵抗層材料が、AlxInyGa1-x-yN:(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)からなる半導体レーザ装置。

Fターム (9件)：

5F073AA09 ,  5F073AA13 ,  5F073AA20 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB11