特許
J-GLOBAL ID：200903061225213571
光電変換装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180900
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029638
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板表面の凹凸形状を溶融変形させないで凹凸表面に接合を形成する。【構成】 ピラミッド状の凹凸が形成された半導体基板1上に、多結晶薄膜層2を堆積し、PSGにより不純物層3を形成し、これらの上にレーザ光4を照射して接合層5を形成することによってテクスチャ構造太陽電池を製造する。
請求項（抜粋）：
凹凸が形成された半導体基板の該凹凸面上に非晶質または多結晶の薄膜層を形成し、該薄膜層上に該薄膜層中に拡散させようとする不純物の存在下で光を照射して、上記半導体基板と上記薄膜層との間に接合を形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
IPC (2件)：
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