特許

J-GLOBAL ID：200903061228113489

超電導素子及びその製造方法

発明者： 高井 穣 ,  善里 順信
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-267334
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120574
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 素子の常伝導抵抗が高く、且つ超電導電流の制御が可能な超電導素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 希土類系酸化物超電導体YBa2Cu3O7-X薄膜2のセンサー部3aに複数の溝5、5・・・を格子状に形成した後、この溝5、5・・・内にBi2O3を形成する。その後このBi2O3と該溝5、5・・・内に露出した希土類系酸化物超電導体とを熱処理により反応させてBaBiO3並びにBa2LnBiO6からなる高抵抗部材6を溝5、5・・・内に形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、該基板上に形成された酸化物超電導体薄膜と、を主構成要素とし、該酸化物超電導体薄膜は両側部に位置する電極形成部と、該電極形成部に挟まれたセンサー部と、から成り、該センサー部は高抵抗部材によって格子状に分断されていることを特徴とした超電導素子。

IPC (4件)：

H01L 39/22 ZAA ,  G01R 29/08 ZAA ,  G01R 33/035 ZAA ,  H01L 39/24 ZAA