特許

J-GLOBAL ID：200903061234944228

誘電体薄膜およびセラミックコンデンサ

発明者： 神垣 耕世
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276195
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114093
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】鉛を含有せず、高誘電率、低損失でかつ静電容量の温度変化率が小さく、低温で作製でき、かつ高周波領域においても比誘電率が大きい誘電体薄膜およびセラミックコンデンサを提供する。【解決手段】金属元素としてK、Sr、CaおよびNbを含むタングステンブロンズ型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、金属元素酸化物のモル比による組成式をK(Sr<SB>1-x </SB>Ca<SB>x </SB>)<SB>2 </SB>Nb<SB>5 </SB>O<SB>15</SB>と表した時、xが0<x≦0.25を満足するものである。

請求項（抜粋）：

金属元素としてK、Sr、CaおよびNbを含むタングステンブロンズ型複合酸化物からなる誘電体薄膜であって、前記金属元素酸化物のモル比による組成式をK(Sr<SB>1-x </SB>Ca<SB>x </SB>)<SB>2 </SB>Nb<SB>5 </SB>O<SB>15</SB>と表した時、前記xが0<x≦0.25を満足することを特徴とする誘電体薄膜。

IPC (3件)：

H01G 4/12 391 ,  C01G 33/00 ,  H01G 4/33

FI (3件)：

H01G 4/12 391 ,  C01G 33/00 ,  H01G 4/06 102

Fターム (36件)：

4G048AA04 ,  4G048AA05 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08 ,  5E001AB03 ,  5E001AC10 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AH01 ,  5E001AH03 ,  5E001AH08 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BB05 ,  5E082BC39 ,  5E082BC40 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG27 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082KK01 ,  5E082MM24 ,  5E082MM35 ,  5E082MM36 ,  5E082PP03 ,  5E082PP09 ,  5E082PP10