特許
J-GLOBAL ID:200903061237593647

リードフレームおよび半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-228695
公開番号(公開出願番号):特開平8-070077
出願日: 1994年08月30日
公開日(公表日): 1996年03月12日
要約:
【要約】【目的】 配線路の高密度化を図ることができるとともに放熱性および外部配線路の寸法安定性が高くしかも半導体装置の組立工程数を増加させないリードフレームおよび半導体装置を提供すること。【構成】 放熱板からなるダイパッド11と、ダイパッド11上でかつその側周に形成された第1絶縁層12と、第1絶縁層12に接続された薄膜リード13と、薄膜リード13のダイパッド11側部分を露出した状態で薄膜リード13上に形成された第2絶縁層14と、第2絶縁層14上に形成されたリード補強層15とからリードフレーム10を構成する。また半導体装置は、そのリードフレーム10と、ダイパッド11上に搭載された半導体素子と、リードフレーム10と半導体素子とを一体に封止する封止部とからなる。
請求項(抜粋):
放熱板からなるダイパッドと、前記ダイパッド上でかつその側周に形成された第1絶縁層と、前記第1絶縁層に接続された薄膜リードと、前記薄膜リードの前記ダイパッド側部分を露出した状態で該薄膜リード上に形成された第2絶縁層と、前記第2絶縁層上に形成されたリード補強層とからなることを特徴とするリードフレーム。
IPC (5件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/28

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