特許

J-GLOBAL ID：200903061242858730

レジストパターンの形成方法並びに半導体装置及びその製造方法

発明者： 小澤 美和 ,  野崎 耕司
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-356506
公開番号（公開出願番号）：特開2004-191465
出願日： 2002年12月09日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：

【課題】レジストパターンを厚肉化し、既存の露光装置の光源における露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを簡便に形成可能なレジストパターンの形成方法、該方法により形成した微細なレジスト抜けパターンを用いて形成した微細パターンを有する高性能な半導体装置及びその製造方法の提供。【解決手段】下地層上にレジストパターンを形成後、前記レジストパターンの表面を覆うようにして、界面活性剤を少なくとも含有する界面活性剤含有液を塗布した後、樹脂及び界面活性剤を少なくとも含有するレジストパターン厚肉化材料を塗布するレジストパターンの形成方法。該方法により、下地層上に形成したレジストパターンを厚肉化するレジストパターン形成工程と、該厚肉化したレジストパターンをマスクとしてエッチングにより前記下地層をパターニングするパターニング工程とを含む半導体装置の製造方法。該方法により製造される半導体装置。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下地層上にレジストパターンを形成後、前記レジストパターンの表面を覆うようにして、界面活性剤を少なくとも含有する界面活性剤含有液を塗布した後、樹脂及び界面活性剤を少なくとも含有するレジストパターン厚肉化材料を塗布することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (2件)：

G03F7/40 ,  H01L21/027

FI (2件)：

G03F7/40 511 ,  H01L21/30 570

Fターム (5件)：

2H096AA25 ,  2H096EA05 ,  2H096HA05 ,  5F046CA04 ,  5F046LA18