特許
J-GLOBAL ID：200903061244268948
アクティブマトリクス基板及びアクティブマトリクス基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-208445
公開番号（公開出願番号）：特開2001-067019
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 レーザ照射により、レーザエッジ部の影響のない電気的特性の優れた薄膜トランジスタによる駆動回路を絶縁基板上に形成したアクティブマトリクス基板とその製造方法を提供する。【解決手段】 アクティブマトリクスを構成する薄膜トランジスタを駆動するための集積回路を、絶縁基板上にパルスレーザービームの大きさに含まれるように分割して配置する。駆動回路を構成する素子の材料であるシリコン薄膜を、ビームのエッジ部分が集積回路の外部に存在するようにレーザ照射して結晶化する。この結晶化したシリコン薄膜を利用して、駆動回路を形成する。
請求項（抜粋）：
薄膜トランジスタと上記画素を駆動する薄膜トランジスタによる駆動回路が同一基板上に形成されるアクティブマトリクス基板において、信号線側駆動回路が複数の領域に分割されて構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
IPC (5件)：
G09F 9/30 338
, G02F 1/133 505
, G02F 1/1368
, H01L 29/786
, H01L 21/336
G09F 9/30 338
, G02F 1/133 505
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 627 G
