特許
J-GLOBAL ID：200903061244817917
静電容量型圧力センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
沼形 義彰 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245008
公開番号（公開出願番号）：特開2000-074768
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 比較的高い圧力を測定するセンサにおいて、小型で安定かつ安価な静電容量型圧力センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板電極24及びダイヤフラム部26を有するダイヤフラム体2と、検出電極31を有するシールキャップ体3と、を具備する静電容量型圧力センサ1において、ダイヤフラム体2は、SOI積層体21からなる。SOI積層体21は、外側層のシリコン層22、中間層の酸化シリコン層23及び内側層の低抵抗シリコン層24の3層構造とする。
請求項（抜粋）：
基板電極及びダイヤフラム部を有するダイヤフラム体と、検出電極を有するシールキャップ体と、を具備する静電容量型圧力センサにおいて、前記ダイヤフラム体は、SOI積層体からなることを特徴とする静電容量型圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (25件)：
2F055AA11
, 2F055AA21
, 2F055CC02
, 2F055DD05
, 2F055EE25
, 2F055FF43
, 2F055FF49
, 2F055GG01
, 2F055GG12
, 2F055GG25
, 4M112AA01
, 4M112BA07
, 4M112CA22
, 4M112CA25
, 4M112CA31
, 4M112CA36
, 4M112DA02
, 4M112DA09
, 4M112DA12
, 4M112DA16
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 4M112EA13
, 4M112EA20
