特許

J-GLOBAL ID：200903061245433667

光半導体素子

発明者： 宮崎 隆雄 ,  神垣 良昭 ,  中村 均 ,  宍倉 正人 ,  田中 滋久 ,  辻 伸二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-012225
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209485
出願日： 1997年01月27日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】半導体受光素子の高電界バイアス印加条件での光-マイクロ波発振変換機能を利用して、チューナブル受光素子と波長多重素子を提供する。【解決手段】側面入射構造の半導体受光素子の光吸収層13とクラッド層12,14の接合に高電界バイアスを印加し、入射光の波長とパワーによりマイクロ波発振周波数を制御する。

請求項（抜粋）：

電気信号入力面と光信号入力面の異なる半導体受光素子において、光吸収層バンドギャップエネルギより大きい波長エネルギ光を入射し、破壊電界強度の90%以上の電圧印加条件でマイクロ波発振を生じることを特徴とする光半導体素子。