特許

J-GLOBAL ID：200903061245790966

半導体レーザおよびその製法

発明者： 芦田 雅由
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-252567
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098233
出願日： 1996年09月25日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 電流制限層と可飽和吸収層とを活性層に対して同じ方向に配設しながら、活性層と可飽和吸収層、および活性層と電流制限層との距離をそれぞれ独立に設定することができ、低い動作電流(低閾値化)で、縦モードを多モード化させた低ノイズで非点隔差の小さい半導体レーザおよびその製法を提供する。【解決手段】 活性層3が第1および第2導電型のクラッド層2、4(4a、4b)により挟持されるダブルヘテロ構造を有し、前記クラッド層のいずれか一方に、前記活性層より禁制帯幅が大きく、かつ、該一方のクラッド層より屈折率が小さい材料からなり、該一方のクラッド層と異なる導電型の電流制限層6(6a、6b)が設けられた半導体レーザであって、前記電流制限層内に前記活性層と禁制帯幅が略同じ材料からなる可飽和吸収層7が設けられている。

請求項（抜粋）：

活性層が第1導電型および第2導電型のクラッド層により挟持されるダブルヘテロ構造を有し、前記クラッド層のいずれか一方に、前記活性層より禁制帯幅が大きく、かつ、該一方のクラッド層より屈折率が小さい材料からなり、該一方のクラッド層と異なる導電型の電流制限層が設けられ、該電流制限層内に前記活性層と禁制帯幅が略同じ材料からなる可飽和吸収層が設けられてなる半導体レーザ。