特許

J-GLOBAL ID：200903061247562057

GaAsウェハの加工方法

発明者： 秋山 弘樹
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045447
公開番号（公開出願番号）：特開平10-244449
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：

【要約】【課題】 各ウェハの厚みのばらつきを低減し、かつ平坦度の優れたGaAsウェハの加工方法を提供する。【解決手段】 GaAsウェハのラッピング加工(16)の前に平面研削機による研削加工(14)を行うことにより、各ウェハの厚みが揃うので、ウェハ番号を管理したり、エッチング加工に1枚ずつウェハの厚みを測定したりする必要がない。このため、各ウェハの厚みのばらつきが低減し、かつ平坦度が大幅に向上する。平面研削加工機の砥石に1000番〜1500番の砥石を用いる場合には、ラッピング加工(16)時にウェハの表面に傷の発生が少ない。

請求項（抜粋）：

GaAs単結晶インゴットからウェハを切り出し、ベベリング加工、ラッピング加工、エッチング加工及びポリッシング加工を経て鏡面ウェハを得るGaAsウェハの加工方法において、上記ラッピング加工の前に平面研削機による研削加工を行うことを特徴とするGaAsウェハの加工方法。

IPC (3件)：

B24B 1/00 ,  H01L 21/304 311 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

B24B 1/00 A ,  H01L 21/304 311 A ,  H01L 21/304 321 B