特許
J-GLOBAL ID:200903061248280896

LED構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森 厚夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-400063
公開番号(公開出願番号):特開2003-152221
出願日: 2001年12月28日
公開日(公表日): 2003年05月23日
要約:
【要約】【課題】 効果的な電流分布を得る。【解決手段】 LED構造は、分布ブラッグ反射、第1の型のドープされた封層、活性層、第2の型のドープされた封層、電流広がり層および網状の正面電極を一の表面に持ち、背面電極を他の表面に持つ基板を有する。網状の正面電極は、パッドの部分および網状脈を持つ。パッドの部分から流れる電流は、電流広がり層に入る前に網状脈を通じて均一に分配される。電流広がり層の厚みは、網状の正面電極の構造によって縮小される。結果、エピタキシーによる電流広がり層の大量生産にかかるコストおよび時間がかなり低減される。
請求項(抜粋):
一の表面に分布ブラッグ反射を持ち他の表面に背面電極を持つ基板と、前記分布ブラッグ反射上の第1の型のドープされた封層と、この封層上の活性層と、この活性層上の第2の型のドープされた封層と、この封層上の電流広がり層と、パッドおよび脈部を持つ、前記電流広がり層上の網状の正面電極とを備えることを特徴とするLED構造。
IPC (3件):
H01L 33/00 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/43
FI (3件):
H01L 33/00 E ,  H01L 29/44 F ,  H01L 29/46 H
Fターム (16件):
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104CC01 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104FF02 ,  4M104FF11 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F041AA05 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041FF06
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 半導体発光ダイオード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-329755   出願人:昭和電工株式会社
  • 発光ダイオード
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-157878   出願人:シャープ株式会社
  • 特開昭48-051596
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